BeO陶瓷具有較高的熱導率，但是其毒性和高生產成本限制了它的生產和應用。Al₂O₃陶瓷基板因其價格低廉、耐熱沖擊性好已被廣泛應用，但因其熱導率相對較低和熱膨脹率不匹配的問題，已無法完全滿足功率器件向大功率、小型化方向發展的趨勢。AlN和Si3N4陶瓷基板在膨脹系數及熱導率方面的優勢被認為是未來的發展方向。

發展至今，陶瓷基板的結構與制作工藝也多有發展。目前，陶瓷基板按工藝可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。主要的平面陶瓷基板工藝可分為薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)、活性金屬焊接陶瓷基板(AMB)、直接電鍍銅陶瓷基板(DPC)。目前常見的三維陶瓷基板分為高溫共燒陶瓷基板（HTCC）和低溫共燒陶瓷基板（LTCC）。

HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic，高溫共燒陶瓷）：屬于較早發展的技術，是采用陶瓷與高熔點的W、Mo等金屬圖案進行共燒獲得的多層陶瓷基板。但由于燒結溫度較高使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對昂，促使了LTCC的發展。

LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramic，低溫共燒陶瓷）：LTCC技術共燒溫度降至約850℃，通過將多個印有金屬圖案的陶瓷膜片堆疊共燒，實現電路在三維空間布線。

DPC（Direct Plating Copper，直接鍍銅）：是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

全球來看，DPC陶瓷基板廠商主要分布在中國臺灣和大陸地區。大概在2015年之后，中國大陸也有一些企業加入到了這個行業。

DBC（Direct Bonded Copper，直接覆銅）：通過熱熔式粘合法，在高溫下將銅箔直接燒結到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成復合基板。

目前全球DBC陶瓷基板，主要由德國、韓國和中國企業主導，核心廠商有德國的Rogers和賀利氏，韓國的KCC，中國的江蘇富樂華半導體、合肥圣達、BYD和南京中江等。預計未來幾年，中國企業將占有更大的市場份額。

AMB（Active Metal Brazing，活性金屬釬焊）：AMB是在DBC技術的基礎上發展而來的，在 800℃左右的高溫下，含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應，從而實現陶瓷與金屬異質鍵合。

AMB陶瓷基板，目前主要也是由德國羅杰斯、日本電化Denka、中國江蘇富樂華半導體科技股份（日本Ferrotec控股）等著三家企業占有較高份額。其他廠商總體起步較晚，規模也較小，如國外企業主要有賀利氏電子、京瓷、東芝材料、同和、韓國KCC、韓國阿莫泰克AMOTECH，國內廠商有比亞迪、博敏電子（芯舟）、浙江德匯電子、合肥圣達、北京漠石科技、南通威斯派爾半導體技術有限公司和無錫天楊電子有限公司等。未來幾年，預計氮化硅陶瓷基板（AMB-SiN）將快速增長。