陶瓷電路板散熱、載流能力突出，廣泛應用于大功率場景。陶瓷基板又稱陶瓷電路板，由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成。普通PCB 通常是由銅箔和基板粘合而成，而基板材質大多數為玻璃纖維（FR-4），酚酸樹脂（FR-3）等材質，粘合劑通常是酚醛、環氧等。在 PCB 加工過程中由于熱應力、化學因素、生產工藝不當等原因，或設計過程中由于兩面鋪銅不對稱，很容易導致PCB 板發生不同程度的翹曲。

根據材料分類，國內常用陶瓷基板材質主要為 Al2O3、AlN 和Si3N4：

1）氧化鋁（Al2O3）最常用。因為在機械、熱、電性能上相對于大多數其他氧化物陶瓷，強度及化學穩定性高，且原料來源豐富，適用于各種各樣的技術制造以及不同的形狀。

2）氮化鋁（AlN）導熱率較高。氮化鋁陶瓷是以氮化鋁粉體為主晶相的陶瓷。相比于氧化鋁陶瓷基板，絕緣電阻、絕緣耐壓更高，介電常數更低。其熱導率是Al2O3 的 7-10 倍，熱膨脹系數（CTE）與硅片近似匹配。

3）氮化硅（Si3N4）可靠性優秀。氮化硅陶瓷的熱膨脹系數（2.4ppm/K）較小，與硅芯片（4ppm/K）接近。氮化硅基板具有較高的熱導率、抗彎強度大，其機械性能具有優異的耐高溫性能、散熱特性和超高的功率密度。此外，載流能力較高，而且傳熱性也非常好。

根據封裝結構和應用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據實現陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優，逐漸成為主流應用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝。

AMB（Active Metal Brazing，活性金屬釬焊）工藝技術是DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝技術的進一步發展。

AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接?；钚院噶贤ㄟ^在普通金屬焊料中添加Ti、Zr、Hf、V、Nb或Ta等稀土元素制備，由于稀土元素具有高活性，可提高焊料熔化后對陶瓷的潤濕性，使陶瓷表面無需金屬化就可與金屬實現焊接。

AMB基板制備技術是DBC基板工藝的改進(DBC基板制備中銅箔與陶瓷在高溫下直接鍵合，而AMB基板采用活性焊料實現銅箔與陶瓷基片間鍵合)，通過選用活性焊料可降低鍵合溫度(低于800°C)，進而降低陶瓷基板內部熱應力。

目前國內的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術的陶瓷基板能更好地解決上述痛點，目前該技術不僅在汽車領域，還在航天、軌道交通、工業電網領域廣泛應用。

AMB 氮化硅基板是第三代 SiC 半導體功率器件首選

一方面，AMB 氮化硅基板具有較高的熱導率（>90W/mK），厚銅層（達 800μm）還具有較高熱容量以及傳熱性。因此，對于對高可靠性、散熱以及局部放電有要求的汽車、風力渦輪機、牽引系統和高壓直流傳動裝置等來說，AMB 氮化硅基板是首選的基板材料。

另一方面，AMB 可將非常厚的銅金屬（厚度可達 0.8mm）焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上。因此，載流能力較高，而且傳熱性也非常好。此外，氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數與第 3 代半導體襯底SiC 晶體接近，使其能夠與 SiC 晶體材料匹配更穩定。